雜化鈣鈦礦薄膜的TRCL分析

在優(yōu)化的采集條件下，使用脈沖電子束，可以通過CL高光譜圖的采集來解決雜化鈣鈦礦薄膜發(fā)射特征的不均勻性。

這些優(yōu)化將有助于解鎖CL高光譜mapping和TRCL在電子束更敏感的雜化鈣鈦礦組合物上的使用。

鈣鈦礦CL光譜分析

鈣鈦礦表面的表征：以背散射模式記錄的SEM圖像，以突出表面上的PbI2團(tuán)簇（左）；

在不同溫度下在鈣鈦礦膜上記錄的陰極發(fā)光光譜。來自（1）鈣鈦礦、（2）束誘導(dǎo)分解產(chǎn)物和（3）PbI2（中間）的發(fā)光；

在170K下測量的PbI2發(fā)射的陰極發(fā)光圖（在475-525nm光譜范圍內(nèi)積分的發(fā)光）證實(shí)了PbI2團(tuán)簇的存在。

鈣鈦礦太陽能電池

沉積在中孔-TiO2/致密-TiO2/FTO上的原始（對照）和含有調(diào)節(jié)劑（N、S和SN）鈣鈦礦膜的平面圖（頂部）和橫截面（底部）SEM圖，

沉積在ITO（1mm）玻璃基板上的原始（對照）和含添加劑（N、S和SN）鈣鈦礦膜的陰極發(fā)光（CL）圖譜。

研究中使用的N、S和SN調(diào)節(jié)劑的結(jié)構(gòu)，以及SN的相應(yīng)互變異構(gòu)形式（在B3LYP/6-31G（d）理論水平上通過DFT計(jì)算優(yōu)化的幾何結(jié)構(gòu)。

多晶CdTe太陽能電池TRCL檢測

峰值光子能量和CL強(qiáng)度與薄膜深度的相關(guān)性。a） 斜面樣品CL實(shí)驗(yàn)示意圖。b） 作為與CdSeTe/MgZnO界面距離的函數(shù)，平行于結(jié)平均的峰值光子能量和c）CL強(qiáng)度。

成分x值在0%至40%范圍內(nèi)的傾斜CdSexTe1-x樣品的CL強(qiáng)度。最上面的一行表示右側(cè)圖例中顯示的普通縮放的強(qiáng)度。中間一行對每個(gè)構(gòu)圖使用單獨(dú)的縮放來增強(qiáng)每個(gè)構(gòu)圖的對比度。下一行用顏色表示第二行的結(jié)果，以增強(qiáng)整個(gè)膜的可視化，特別是對于更高的Se濃度。右側(cè)圖例提供了比例。白色條對應(yīng)于沿著傾斜表面的5微米。

CdTe薄膜太陽能電池中晶界、晶粒內(nèi)部和表面復(fù)合的發(fā)光方法